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    彎盤法的基本原理與懸臂梁法相同，也是利用基片的形變測定內應力的。所不同的是基片為圓形，在沉積薄膜前后測量基片的曲率半徑Rl和R2，然后根據(jù)下式計算出薄膜中的內應力。

    為了保證測試系經有較高的靈敏度，需要選用合適的基片和檢測方法。現(xiàn)在常用的基片是玻璃、石英、單晶硅等，基片的表面要進行光學拋光。
    在沉積前后，將基片放在石英板的光學平面上，測M其曲率半徑，其中最常用的是牛頓環(huán)法，圖7一8是其檢測原理圖。把試樣放在光學平面上后，用垂直于表面的光照射，這時在試樣表面和光學平面之間由于光的干涉而產生牛頓環(huán)，測量牛頓環(huán)的間隔就可以測定基片的曲率半徑，從而算出內應力。